Mott 绝缘体中氧空位的 DFT+DMFT 研究
强关联电子
2019-09-04 v2
摘要
氧空位是复杂氧化物中多余电子的常见来源。在 Mott 绝缘体中，这些额外电子可诱导金属-绝缘体转变（MIT），从根本上改变体系的电子性质。本文研究 LaTiO3（一种接近 MIT 的原型 Mott 绝缘体）中氧空位的影响。我们表明，引入氧空位会在部分填充的 Ti-t2g 能带正下方产生一个与空位相关的能带。我们利用密度泛函理论与动力学平均场理论相结合（DFT+DMFT）的方法，采用由有效 Ti-t2g 轨道加上一个以空位为中心附加 Wannier 函数组成的最小关联子空间，研究该附加能带对 Mott MIT 的影响。我们发现 LaTiO3 中的 Mott 绝缘态对空位能带的存在具有鲁棒性，即使存在局域库仑排斥，该能带仍完全占据。
引用
@article{arxiv.1901.01884,
title = {DFT+DMFT study of oxygen vacancies in a Mott Insulator},
author = {Jaime Souto-Casares and Nicola A. Spaldin and Claude Ederer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.01884},
year = {2019}
}