Paramagnetic V_2O_3 的电子结构：强相关金属与 Mott 绝缘相
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们采用 LDA+DMFT 计算方案，即将局部密度近似与动力学均场理论相结合，计算了 V_2O_3 中相关参数磁性金属相和 Mott 绝缘相在费米能级以下和以上以及自旋和轨道占据情况。通过量子蒙特卡洛模拟求解自洽 DMFT 方程。室温计算结果与实验直接比较，显示与 1160 K 计算结果相比，准粒子高度显著增加。我们还对 V_2O_3 中 Mott-Hubbard 相变的本质获得了新的见解。 Namely, 它与单带 Hubbard 模型的相变截然不同，由于轨道自由度的存在。我们进一步解决了 Cr 掺杂 V_2O_3 中意外较小 Mott 带隙的谜题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402133,
title = {Electronic Structure of Paramagnetic V_2O_3: Strongly Correlated Metallic and Mott Insulating Phase},
author = {G. Keller and K. Held and V. Eyert and D. Vollhardt and V. I. Anisimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402133},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 22 figures