顺磁性 V$_2$O$_3$ 的金属 - 绝缘体相变与晶格不稳定性
强关联电子
2015-06-11 v2
摘要
我们结合用于计算能带结构的从头算方法与动力学平均场理论，确定了顺磁性 VO 在 Mott-Hubbard 金属 - 绝缘体相变处的电子结构与相稳定性。研究发现，与金属 - 绝缘体相变相关的结构转变发生在晶格体积轻微膨胀约 % 时，这与实验结果一致。我们的结果表明，结构变化先于金属 - 绝缘体相变发生，意味着在相变处电子自由度与晶格自由度之间存在复杂的相互作用。研究发现，电子关联与全电荷自洽对于正确描述 VO 的性质至关重要。
引用
@article{arxiv.1410.5399,
title = {Metal-Insulator Transition and Lattice Instability of Paramagnetic V2O3},
author = {I. Leonov and V. I. Anisimov and D. Vollhardt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5399},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures