受阻力 Hubbard 模型的相图
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
人们长期以来将一带 Hubbard 模型中参数无磁相的 Mott-Hubbard 金-绝缘相变用于描述类似特征，如 VO中的现实材料。然而，我们指出，即使存在较强的磁阻力，该相变仍被埋藏在一个相对稳健的反歧磁绝缘体内部。这一结果提出了关于 Mott-Hubbard 金-绝缘相变在一带 Hubbard 模型通用相图中的相关性问题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308202,
title = {Phase diagram of the frustrated Hubbard model},
author = {R. Zitzler and N. Tong and Th. Pruschke and R. Bulla},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308202},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 6 figures