二维 Hubbard 模型中的 Mott-Hubbard 相变与 paramagnetic 绝缘相
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们在二维 Hubbard 模型的背景下研究了 Mott-Hubbard 相变。解析计算显示存在一个临界值 Uc，将参数势强度分为 paramagnetic 金属相和 paramagnetic 绝缘相。势能密度和双占据的计算表明，绝缘相的基态始终包含少量空位和双占据位点。通过考虑能级间隧穿的概率�幅来研究基态结构。结果表明，Mott 绝缘体的基态特征为局域亚磁性有序；电子保持一定的可移动性，但这种可移动性必须与局域有序相兼容。在 U=Uc 处，某些能级间概率�幅消失，这对电子的可移动性施加了约束。我们建议，这类量量可能是控制绝缘相有序的关键参数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812310,
title = {The Mott-Hubbard transition and the paramagnetic insulating state in the two-dimensional Hubbard model},
author = {F. Mancini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812310},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 5 EPS figures, EuroTeX, to be published in EuroPhysics Letters; content changed, references removed