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二维中能带绝缘体与Mott绝缘体之间的新型相

强关联电子 2015-06-25 v2

摘要

我们使用团簇动力学平均场理论研究了存在交错势Δ\Delta的二维半填充排斥性Hubbard模型(即所谓的离子Hubbard模型)的基态相图。我们发现,对于大的库仑排斥作用,UΔU\gg \Delta,系统是Mott绝缘体(MI)。对于弱到中等强度的Δ\Delta,随着UU的减小,Mott能隙在临界值Uc1(Δ)U_{c1}(\Delta)处闭合,超过该值则出现具有可能键序(BO)的关联绝缘相。此外,该相在Uc2(Δ)U_{c2}(\Delta)处经历一级相变转变为能带绝缘体(BI),且在相变点存在有限的电荷能隙。对于大的Δ\Delta,存在从MI到BI的直接一级相变,在相边界处只有一个金属点。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0607568,
  title  = {Novel Phase Between Band and Mott Insulators in Two Dimensions},
  author = {S. S. Kancharla and E. Dagotto},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607568},
  year   = {2015}
}