二维中能带绝缘体与Mott绝缘体之间的新型相
强关联电子
2015-06-25 v2
摘要
我们使用团簇动力学平均场理论研究了存在交错势的二维半填充排斥性Hubbard模型(即所谓的离子Hubbard模型)的基态相图。我们发现,对于大的库仑排斥作用,,系统是Mott绝缘体(MI)。对于弱到中等强度的,随着的减小,Mott能隙在临界值处闭合,超过该值则出现具有可能键序(BO)的关联绝缘相。此外,该相在处经历一级相变转变为能带绝缘体(BI),且在相变点存在有限的电荷能隙。对于大的,存在从MI到BI的直接一级相变,在相边界处只有一个金属点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607568,
title = {Novel Phase Between Band and Mott Insulators in Two Dimensions},
author = {S. S. Kancharla and E. Dagotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607568},
year = {2015}
}