Mott 绝缘体及 DMFT 内掺杂诱导的 Mott 转变：单带 Hubbard 模型的精确结果

在动态平均场理论（dynamical mean-field theory, DMFT）框架下，我们在零温下研究了存在一般粒子-空穴不对称性且发生掺杂诱导 Mott 转变时的单带 Hubbard 模型的顺磁相。我们的主要焦点是 Mott 绝缘体（MI）相，旨在确立关于该相可被严格证明的结论。处理局域双重简并的 MI 需要两个不同的自能，它们反映了该相的对称性破缺本质，并共同决定标准单自能。我们获得了关于 MI 相中局域电荷、局域磁矩及关联自旋磁化率、相互作用重整化能级以及自能低能行为的精确结果。也简要考虑了金属相，并表明其在接近 Mott 转变时获得涌现的粒子-空穴对称性。在整个金属相中，Luttinger 定理反映于 Luttinger 积分的消失；相比之下，对于一般 MI，该积分被证明非零，但同样具有普适大小。还利用数值重整化群（NRG）得到了金属/MI 相边界、从金属侧接近 Mott 转变时电荷的标度行为，以及当低能 Kondo 标度消失时单粒子动力学的关联普适标度等数值结果。