掺杂驱动的扩展哈伯德模型中的金属-绝缘体转变与电荷有序
强关联电子
2017-03-15 v1 材料科学
量子气体
统计力学
计算物理
摘要
我们仔细研究了一个具有局域和最近邻库仑排斥的扩展哈伯德模型。利用动力学平均场理论，我们研究了该模型在零温下作为化学掺杂函数的相图。局域与非局域相互作用之间的相互影响驱动了多种相变，这些相变连接了两种不同的电荷有序绝缘体（即半填充和四分之一填充）、一个电荷有序金属以及一个莫特绝缘相。我们刻画了这些转变以及解的相对稳定性，并表明这两种相互作用共同稳定了四分之一填充的电荷有序相。
引用
@article{arxiv.1611.03455,
title = {Doping driven metal-insulator transitions and charge orderings in the extended Hubbard model},
author = {K. J. Kapcia and S. Robaszkiewicz and M. Capone and A. Amaricci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03455},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 9 figures, ReVTeX; submitted to Physical Review B