双重简并Hubbard模型中的金属-绝缘体转变

利用与Gutzwiller近似（GA）等价的slave-boson平均场理论，对顺磁基态下双重简并Hubbard模型（DHM）的金属-绝缘体（MI）转变进行了系统研究。对于电子-电子相互作用无限大的情况，我们得到了解析解，该解在无限空间维极限下变得精确。相反，有限相互作用的情况则通过使用具有最近邻跳跃的简单立方模型的数值方法进行研究。质量增强因子$Z$被证明在接近整数填充（$N = 1, 2, 3$）时发散地增加，在这些填充处发生MI转变，$N$是电子总数。计算得到的$Z$对$N$的依赖性与观察到的$Sr_{1-x}La_xTiO_3$的比热系数$\gamma$进行了比较，据报道$\gamma$随着$x$趋近于1而显著增加。