2D Hubbard 模型中的准磁性金属-绝缘体相变
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了在2D Hubbard模型的半填充条件下，通过有限温度量子蒙特卡罗模拟，参数磁性金属向参数磁性绝缘体的相变。我们工作在温度 T=0.33t（此时自旋相关长度降至1.5个晶格间距）的中等温度下，扫描相互作用强度U，观察到明确的金属-绝缘体相变，其临界值 U_c=4t。 在金属相中，没有任何关于带宽“相关收窄”的迹象，也没有关于费米能级处谱权下降的迹象。Mott-Hubbard 隧穿随U的增加逐渐形成，并伴随费米能级附近形成副带。 在隧穿初期阶段，隧穿在(π,0)处形成，类似于铜氧化物超导体中“伪隧穿”现象学。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9810246,
title = {Paramagnetic metal-insulator transition in the 2D Hubbard model},
author = {C. Groeber and M. G. Zacher and R. Eder},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810246},
year = {2007}
}
备注
RevTex-file, 4 PRB pages with 5 eps figures. Hardcopies of figures (or the entire manuscript) can be obtained by e-mail request to: [email protected]