中文

非整数填充下 Mott-Hubbard 金-绝缘相转变

强关联电子 2009-11-10 v1 无序系统与神经网络

摘要

我们在 Hubbard 模型和动力学均值场理论 (DMFT) 框架下研究了二元合金 AxB1xA_{x}B_{1-x} 中相关电子。随机能 ϵi\epsilon_{i} 具有双峰概率分布,能量分离 Δ\Delta 。我们采用数值凯里波夫方法在零温下求解 DMFT 方程,计算随无程度 Δ\Delta 和相互作用 UU 在不同填充率下的谱密度。对于填充因子 ν=x\nu =x1+x1+x,下或上合金亚带半填满,系统在强相互作用下呈现 Mott 绝缘体,费米能级处出现相关间隙。金-绝缘体转变时观察到滞后现象。我们还分析了在 Δ\Delta \to \infty 极限下的有效理论,发现解析结果与数值结果在金-绝缘体转变临界相互作用 UcU_{c} 上良好一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0309067,
  title  = {Mott-Hubbard metal-insulator transition at non-integer filling},
  author = {Krzysztof Byczuk and Walter Hofstetter and Dieter Vollhardt},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309067},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, 7 figures