非整数填充下 Mott-Hubbard 金-绝缘相转变
强关联电子
2009-11-10 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们在 Hubbard 模型和动力学均值场理论 (DMFT) 框架下研究了二元合金 中相关电子。随机能 具有双峰概率分布,能量分离 。我们采用数值凯里波夫方法在零温下求解 DMFT 方程,计算随无程度 和相互作用 在不同填充率下的谱密度。对于填充因子 或 ,下或上合金亚带半填满,系统在强相互作用下呈现 Mott 绝缘体,费米能级处出现相关间隙。金-绝缘体转变时观察到滞后现象。我们还分析了在 极限下的有效理论,发现解析结果与数值结果在金-绝缘体转变临界相互作用 上良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309067,
title = {Mott-Hubbard metal-insulator transition at non-integer filling},
author = {Krzysztof Byczuk and Walter Hofstetter and Dieter Vollhardt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309067},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 7 figures