接近四分之一填充的一维电子系统中的非公度莫特绝缘体
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
基于一维扩展哈伯德模型，研究了分子导体中金属-绝缘体转变的可能性，该系统由供体分子和完全电离的阴离子组成，其非公度比例接近2:1，其中供体载流子略微偏离四分之一填充，并处于来自阴离子的非公度周期势下。通过重整化群方法，研究了供体晶格上的公度能与来自阴离子势的能量的相互作用，并发现可以产生“非公度莫特绝缘体”。这一理论发现将解释在(MDT-TS)(AuI)中观察到的金属-绝缘体转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501274,
title = {Incommensurate Mott Insulator in One-Dimensional Electron Systems close to Quarter Filling},
author = {Hideo Yoshioka and Hitoshi Seo and Hidetoshi Fukuyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501274},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn. at December 24 2004