(MDT-TS)(AuI$_2$)$_{x}$中的非公度反铁磁绝缘态

我们从理论上研究了由非公度比例($x = 0.441$)构成的分子导体(MDT-TS)(AuI$_2$)$_{x}$中的金属-绝缘体相变，其中源自给体MDT-TS分子HOMO的导带被非公度地填充。我们考虑一个二维哈伯德模型，该模型考虑了给体层中各向异性的转移积分，并处于由阴离子(AuI$_2$)$^-$产生的、与给体晶格周期不匹配的周期势下，并在平均场近似下研究了基态。在大$U$区域，得到了一个伴有诱导电荷歧化的反铁磁绝缘态；这对应于先前基于简化一维模型所预测的非公度莫特绝缘态[H. Yoshioka {\it et al.}: \jo{\JPSJ}{74}{2005}{1922}]。