Wigner-Mott 绝缘体的自掺杂不稳定性

我们提出了一种理论，描述了无序缺失情况下二维 (2D) 金属 - 绝缘体转变 (MIT) 的机制。引入双带 Hubbard 模型，用于描述 Wigner 晶体内的空位 - 间隙子对激发。研究发现，通过离域化此类激发所获得的动能会导致绝缘体在临界载流子浓度 $n=n_c$ 以上发生自掺杂不稳定性，从而将该问题映射为密度驱动的 Mott MIT。该机制为几个令人困惑的实验特征提供了自然的微观图像，包括巨大的有效质量增强、巨大的电阻率下降以及转变金属侧巨大的正磁阻。我们还给出了洁净 2D 电子气作为 $n$ 和平行磁场 $B_{\shortparallel}$ 函数的全局相图，这与超洁净样品中的实验结果吻合良好。