单晶有机莫特场效应晶体管中掺杂驱动金属-绝缘体转变的临界行为
强关联电子
2017-01-13 v1
摘要
我们展示了利用典型二维有机莫特绝缘体 -(BEDT-TTF)CuN(CN)Cl (-Cl) 单晶，在电场效应晶体管（FET）沟道中观测到的掺杂驱动莫特转变附近的载流子输运性质。该 FET 随着静电掺杂的进行表现出连续的金属-绝缘体转变（MIT）。该相变似乎涉及两步交叉，一步在霍尔测量中，另一步在电导测量中。电导中的交叉发生在电导量子 附近，因此与“坏金属”行为无关，这与半填充有机莫特绝缘体或掺杂无机莫特绝缘体中的 MIT 形成鲜明对比。通过对电导的深入标度分析，发现 MIT 附近的上述载流子输运性质可由高温莫特量子临界交叉来描述，理论论证这表明它是各类莫特转变的普遍特征。[本文为作者未编辑的投稿版本，后经同行评审被 Nano Letters 接受发表，版权归美国化学会所有。访问最终编辑出版版本请见 http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b03817]
引用
@article{arxiv.1701.03206,
title = {Critical Behavior in Doping-Driven Metal$-$Insulator Transition on Single-Crystalline Organic Mott-FET},
author = {Yoshiaki Sato and Yoshitaka Kawasugi and Masayuki Suda and Hiroshi M. Yamamoto and Reizo Kato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03206},
year = {2017}
}
备注
40 pages, 16 figures in Nano Letters, ASAP (2017)