掺杂控制的超导体-绝缘体相变于 Bi2Sr2-xLaxCaCu2O8+δ
超导电性
2007-05-23 v4 强关联电子
摘要
我们表明，高临界温度氧化物超导体体系（Bi2Sr2-xLaxCaCu2O8+δ）中由掺杂控制的超导体-绝缘体相变（SIT）的行为与传统SIT预期的行为存在根本差异。在临界掺杂处，薄膜电阻似乎在零温极限下趋于发散。超过临界掺杂后，传输行为被统一地由两组导电模型描述。以下，连续演化为从弱绝缘到强绝缘行为。两种导电模型表明，集体电子相分离机制可能负责这种非常规SIT行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509521,
title = {Doping Controlled Superconductor-Insulator Transition in Bi2Sr2-xLaxCaCu2O8+delta},
author = {Seongshik Oh and Trevis A. Crane and D. J. Van Harlingen and J. N. Eckstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509521},
year = {2007}
}
备注
21 pages, 5 figures, abstract changed. Introduction and conclusion expanded. Slight changes in the main text. Accepted to PRL