超导 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$晶粒间相位相干性的掺杂依赖性

G. C. Kim; M. Cheon; Y. C. Kim

超导 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$晶粒间相位相干性的掺杂依赖性

超导电性 2014-11-18 v2

作者: G. C. Kim , M. Cheon , Y. C. Kim

摘要

在本工作中，我们报道了关于超导 Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ (Bi-2212) 晶粒间相位相干性随掺杂水平依赖性的新发现。来自强欠掺杂和过掺杂区域的实验结果偏离了基于 $T$ = 0 K 时超流密度随掺杂水平依赖性的预期。这些发现似乎由铜氧化物超导体超导穹顶内竞争序之间的相互作用所主导。在超导穹顶下方的欠掺杂和过掺杂区域，可能存在两个量子临界点。

关键词

铜氧化物超导体相位相干性掺杂依赖性 Bi-2212 量子临界点竞争序超流密度

引用

@article{arxiv.1408.6013,
  title  = {Doping dependence of phase coherence between superconducting Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ grains},
  author = {G. C. Kim and M. Cheon and Y. C. Kim},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6013},
  year   = {2014}
}

备注

10 pages, 2 figures

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