Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 电子结构的第一性原理描述

J. Nokelainen; C. Lane; R. S. Markiewicz; B. Barbiellini; A. Pulkkinen; B. Singh; J. Sun; K. Pussi; A. Bansil

doi:10.1103/PhysRevB.101.214523

Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 电子结构的第一性原理描述

超导电性 2020-07-07 v3

作者: J. Nokelainen , C. Lane , R. S. Markiewicz , B. Barbiellini , A. Pulkkinen , B. Singh , J. Sun , K. Pussi , A. Bansil

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摘要

铋系铜氧化物超导体是基础研究与应用的重要材料。与其他铜氧化物一样，铋化合物中的超导相靠近反铁磁相。我们基于强约束且适当归一化（SCAN）交换关联泛函对 Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ 进行的密度泛函理论计算表明，从原始相到最佳空穴掺杂化合物，铜离子上的磁矩持续存在。我们还发现在重掺杂化合物中存在亚铁磁解，这预期会抑制超导性。

关键词

铋系铜氧化物超导体密度泛函理论 SCAN 泛函磁矩亚铁磁解氧掺杂

引用

@article{arxiv.2003.04034,
  title  = {Ab initio description of the Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ electronic structure},
  author = {J. Nokelainen and C. Lane and R. S. Markiewicz and B. Barbiellini and A. Pulkkinen and B. Singh and J. Sun and K. Pussi and A. Bansil},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2003.04034},
  year   = {2020}
}

备注

9 pages, 4 figures

Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 电子结构的第一性原理描述

摘要

关键词

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