电子掺杂BaFe2As2中超导与磁性(结构)相变的退耦合
超导电性
2009-08-04 v1
摘要
通过对超过30例过渡金属(TM)=Co、Ni、Cu及(Co/Cu混合物)电子掺杂的BaFe2As2样品的研究与比较，我们认识到，在这些化合物中，将结构/反铁磁相变抑制到足够低的温度是超导电性的必要条件，但非充分条件。尽管结构/反铁磁相变被TM掺杂离子的数量(或c轴变化)所抑制，但超导穹顶仅存在于由掺杂所添加的电子数(或{a/c}比值)的有限范围内。通过选择所使用的掺杂剂组合，我们可以改变上方相线与超导穹顶的相对位置，甚至达到极端情况：在未稳定低温超导穹顶的情况下，抑制上方的结构和磁性相变。
引用
@article{arxiv.0904.3134,
title = {Decoupling of the superconducting and magnetic (structural) phase transitions in electron-doped BaFe2As2},
author = {P. C. Canfield and S. L. Bud'ko and N. Ni and J. Q. Yan and A. Kracher},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.3134},
year = {2009}
}