基于 SI-STM 推导的铜氧化物三组分电子结构
超导电性
2012-05-11 v2 强关联电子
摘要
我们提出了一个唯象模型，用于描述通过谱成像扫描隧道显微镜 (SI-STM) 观测到的铜氧化物高温超导体 Bi2Sr2CaCu2O8+x 的低能电子结构。我们的模型基于准粒子干涉 (QPI) 测量和局域态密度 (LDOS) 测量的观测结果，这些测量涵盖了从临界掺杂 (p~0.19) 到极度欠掺杂 (p~0.06) 的空穴密度范围。下文提出的模型统一了在 QPI 研究中观测到的谱态密度与 LDOS 中的谱态密度。在统一这两项独立测量的过程中，我们发现先前报道的现象——Bogoliubov QPI 终止、棋盘格电导调制和赝能隙——都与独特的能标相关联，这些能标在 q 空间和 LDOS(E) 数据集中均具有特征。
引用
@article{arxiv.1205.2035,
title = {The Three Component Electronic Structure of the Cuprates Derived from SI-STM},
author = {J. W. Alldredge and K. Fujita and H. Eisaki and S. Uchida and Kyle McElroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.2035},
year = {2012}
}