Bi2Sr2CaCu2Oy 中临界电流的掺杂依赖性
超导电性
2015-06-23 v1
摘要
我们在一系列高质量 c 轴取向的 薄膜中测量了临界电流密度 的掺杂依赖性。对于每个掺杂水平，我们测量了 的温度依赖性。我们发现所有样品具有相同的温度依赖性，但零温下的临界电流 表现出非平凡的掺杂依赖性，其在超导穹顶过掺杂侧的一个独特掺杂水平处达到最大值。
引用
@article{arxiv.1411.6393,
title = {Doping dependence of the critical current in Bi2Sr2CaCu2Oy},
author = {Muntaser Naamneh and Juan Carlos Campuzano and Amit Kanigel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6393},
year = {2015}
}