掺杂浓度对 $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ 薄膜相干长度的影响
超导电性
2009-11-10 v2
摘要
通过测量系统性掺杂 薄膜的磁化对场和温度的依赖性，确定了单个涡旋流动 regime 中的临界电流密度 和集体锁定能 。结合已发表的超流密度、凝聚能和各向异性数据，首次直接从低温数据推导出宽掺杂范围内相干长度（或涡旋核大小）的掺杂依赖性。结果表明，在欠掺杂区域相干长度随空穴浓度增加而减小，而在过掺杂区域相干长度随空穴浓度增加而增大。在欠掺杂区域，结果与若简单将准导域与上临界场关联的预形成配对模型所期望的结果明显偏离。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305244,
title = {Hole Doping Dependence of the Coherence Length in $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ Thin Films},
author = {H. H. Wen and H. P. Yang and S. L. Li and X. H. Zeng and A. A. Soukiassian and W. D. Si and X. X. Xi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305244},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures