空穴掺杂高温铜氧化物中临界电流密度、不可逆场与赝能隙的关联
超导电性
2023-04-26 v1 强关联电子
摘要
我们研究了空穴含量 (p) 与氧缺陷 (delta) 对高质量 c 轴取向 Y1-xCaxBa2Cu3O7-delta (x = 0, 0.05, 0.10, 0.20) 薄膜零场临界电流密度 Jc0 的影响。发现这些薄膜在最佳掺杂以上的低温临界电流密度较高，并主要由空穴浓度决定，在 p ~ 0.185 +/- 0.005 处达到最大值，与氧缺陷程度无关。这意味着氧无序仅起次要作用，本征 Jc0 主要由铜氧面中的载流子浓度支配。对此的进一步支持来自对 c 轴取向结晶薄膜 YBa2Cu3O7-delta (YBCO) 在磁场 (H) 沿 c 轴方向施加下、宽空穴掺杂范围内的面内电阻转变分析。与涡旋激活能和不可逆场相关的特征磁场 (H0) 表现出与 Jc0(p) 相似的 p 依赖性。我们基于低能电子态密度中掺杂依赖的赝能隙 (PG) 解释了这些观测。本征临界电流密度与不可逆场均直接依赖于超导凝聚能，而后者在很大程度上受准粒子谱密度中依赖于空穴浓度的 PG 大小控制。
引用
@article{arxiv.2212.13339,
title = {Interrelations among critical current density, irreversibility field and pseudogap in hole doped high-Tc cuprates},
author = {S. H. Naqib and R. S. Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.13339},
year = {2023}
}
备注
Submitted to Superconductivity