Y123 中依赖掺杂的涡旋激活能与赝能隙
超导电性
2014-06-06 v1
摘要
温度和磁场依赖的激活能 是应用超导领域最重要的参数之一，因为它主要决定了临界电流密度和不可逆场。此前，我们通过分析高质量 c 轴取向 Y123 晶体薄膜中依赖磁场的电阻跃迁，确定了依赖掺杂的 （arXiv:1207.4312）。在这篇简短通讯中，我们展示了设定 量级的特征场 与赝能隙温度 之间的直接联系。 对面内空穴含量 的强依赖性似乎源于赝能隙能标（以温度表示的 ）随 的演化，这种演化随着空穴浓度的降低而减小了超导凝聚能。
引用
@article{arxiv.1406.1324,
title = {Doping dependent vortex activation energy and pseudogap in Y123},
author = {S. H. Naqib and R. S. Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.1324},
year = {2014}
}