YBa2Cu3O7-delta 薄膜中涡旋激活能 U(T, H) 随空穴含量的变化
超导电性
2012-07-19 v1 强关联电子
摘要
本文在沿 c 轴方向施加磁场 (H) 的条件下，研究了高质量 c 轴取向 YBa2Cu3O7-delta 晶体薄膜在 CuO2 平面内不同掺杂空穴浓度 p 范围内的面内电阻转变特性。在平均场超导转变温度 Tp 以下，我们在热助磁通流动 (TAFF) 框架内分析了依赖于场和温度的面内电阻率 rho_ab(T, H)。通过该分析，我们提取了依赖于温度和场强的磁通激活能 U(T, H)。rho_ab(T, H) 数据的低温部分可以很好地由一个无量纲激活能描述，其函数形式为 U(T, H) = (1-t)^m(H0/H)^-{\beta}，其中 t = T/Tp 为约化温度，H0 为特征场标度，主要决定给定样品成分的激活能量级。温度指数 m 随空穴含量表现出系统性变化，而场指数 {\beta} 对 p 值不敏感，且无论薄膜成分如何均接近于 1。另一方面，H0 随空穴浓度的变化而迅速改变。本文讨论了这些结果的可能含义。
引用
@article{arxiv.1207.4312,
title = {Variation of the vortex activation energy, U(T, H), with hole content in YBa2Cu3O7-delta thin films},
author = {S. H. Naqib and R. S. Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4312},
year = {2012}
}
备注
Submitted to Supercond. Sci. Technol. (2012)