欠掺杂 GdBa2Cu3O7-d 薄膜中的 Hall 效应：赝能隙区中交叉线的证据
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们报道了在通过离轴磁控溅射生长的欠掺杂 GdBa2Cu3O7-d 外延薄膜中电阻率和 Hall 系数的测量结果。这些薄膜经过光刻图形化处理，使得能够精确测量反 Hall 常数 RH-1 和 Hall 角 theta_H 的温度依赖性。我们发现 RH-1 在 300K 和赝能隙温度 T* 之间与温度呈线性关系，而 cot(theta_H) 在通常的 300K 到 100K 之间表现出完美的 T2 温度依赖性。我们在所有样品中观察到，cot(theta_H) 的温度依赖性偏离 T2 行为时的温度与 RH 显示峰值时的温度相关。这一特征温度位于 Tc 和 T* 之间，对掺杂水平没有明显依赖，并在温度-掺杂相图中定义了一条新的交叉线。我们初步将这些发现与近期的高频电导率和 Nernst 效应实验结果联系起来，并简要讨论了铜氧化物赝能隙态竞争理论的潜在影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104328,
title = {Hall effect in underdoped GdBa2Cu3O7-d thin films: evidence for a crossover line in the pseudogap regime},
author = {D. Matthey and S. Gariglio and B. Giovannini and J. -M. Triscone},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104328},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 4 figures, RevTEX, to appear in Phys. Rev. B