过采 doped Pr$_{1.82}$Ce$_{0.18}$CuO$_{4 + \delta}$ 电子掺杂氧化物中的非线性霍尔电导率

Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$ (PCCO) 在 $x = 0.17$ 处的霍尔系数 $R_\mathrm{H}$ 随温度变化显示出 0-300K 之间的两种符号变化，可用两种载流子模型进行定性解释。使用这种两种载流子模型，可预测霍尔电导率 $\rho_{yx}$ 存在 $B^{3}$ 非线性贡献，当线性系数 $R_{H}$ 接近零时应易于观察。我们测量了过采 doped PCCO 薄膜 ($x=0.18$) 的这种非线性霍尔电导率。我们表明，尽管该非线性项在所有温度下都以线性项 ($R_{H}B$) 为主，但仍呈强烈的温度依赖性。通过两种载流子模型分析，我们得出结论，电子载流子密度大于空穴密度，但空穴迁移率大于电子迁移率。这种非线性霍尔电导率应可被类似具有 $R_{H}(T)$ 符号反转性质的材料观察到。