强无序金属NbN中电阻率和霍尔系数的温度依赖性
无序系统与神经网络
2009-10-23 v1 强关联电子
超导电性
摘要
我们报告了均匀无序外延NbN薄膜在正常态下电阻率(rho)和霍尔系数(R_H)的温度依赖性，其kFl~3.27-10.12。这些薄膜的超导转变温度(Tc)在8.13K至16.8K之间变化。虽然我们无序程度最低的薄膜表现出通常的金属行为，但对于所有kFl<8.13的薄膜，rho和R_H在高达300K的温度下均为负值。我们观察到所有薄膜的R_H(T)与rho(T)呈线性关系。在2nm厚的Be薄膜上进行的测量显示出类似的行为。这种行为与无序金属中局域化和电子-电子相互作用的现有理论不一致。
引用
@article{arxiv.0907.4735,
title = {Temperature dependence of resistivity and Hall-coefficient in a strongly disordered metal: NbN},
author = {Madhavi Chand and Archana Mishra and Y. M. Xiong and Anand Kamlapure and S. P. Chockalingam and John Jesudasan and Vivas Bagwe and Mintu Mondal and P. W. Adams and Vikram Tripathi and Pratap Raychaudhuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.4735},
year = {2009}
}
备注
pdf file with figures