三维狄拉克半金属 Na3Bi 薄膜的温度依赖 n-p 转变
材料科学
2017-12-20 v1
摘要
我们研究了通过分子束外延（MBE）生长的三维拓扑狄拉克半金属 NaBi 薄膜（厚度 20 nm）的纵向电阻率和霍尔系数随温度（77 K - 475 K）的依赖关系。温度依赖的霍尔系数在低温下呈电子型，但在约 200 K 处转变为空穴型输运。我们发展了一个狄拉克能带模型，其中费米速度和迁移率存在电子-空穴不对称性（假设迁移率与费米速度的平方成正比），该模型很好地解释了霍尔电阻率的量级和温度依赖性。我们发现空穴迁移率约为电子迁移率的 7 倍。此外，我们发现电子迁移率随温度升高显著降低，表明电子-声子散射强烈限制了室温迁移率。
引用
@article{arxiv.1709.01209,
title = {Temperature Dependent n-p Transition of 3 Dimensional Dirac Semimetal Na$_3$Bi Thin Film},
author = {Chang Liu and Jack Hellerstedt and Mark T. Edmonds and Michael S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01209},
year = {2017}
}
备注
12 pages