超薄二氧化钒薄膜的霍尔测量
材料科学
2016-09-19 v2
摘要
本工作中，我们展示了在Si/SiO衬底上生长的超薄VO薄膜的温度依赖霍尔测量研究。实验结果表明，在半导体相和金属相中电子均为主要载流子。电阻率随温度升高而降低主要由载流子数密度增加引起。载流子浓度的温度依赖性表明VO薄膜在半导体相具有0.400.09 的带隙。基于复合立方体模型对霍尔效应数据的分析表明，样品存在某些未相变相，其长度为晶粒的1/4。
引用
@article{arxiv.1608.03378,
title = {Hall measurement of ultra thin vanadium dioxide thin films},
author = {Fangfang Song and B. E. White.},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03378},
year = {2016}
}
备注
This paper has been withdrawn by the author due to a sign error in equation 5