V2O3 薄膜电子性质的厚度依赖性
强关联电子
2008-01-07 v1 材料科学
摘要
利用脉冲激光沉积技术在 (0001) 取向的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化钒 V2O3 薄膜 (170-1100 {\AA})，并研究了薄膜厚度对晶格应变和电子性质的影响。X 射线衍射表明，存在面内压缩晶格常数，相对于衬底接近 -3.5%，以及面外拉伸晶格常数。薄膜样品在 2-300 K 之间表现出金属性，未观察到金属-绝缘体转变。在低温下，V2O3 薄膜表现为强关联金属，电阻率 (\rho) 遵循方程 \rho =\rho_0 + A T^2，其中 A 是 Fermi 液体中的输运系数。计算得出 A 的典型值为 0.14 \mu\Omega cm K^{-2}，这与高压下 V2O3 单晶报道的系数一致。此外，霍尔电阻的强烈温度依赖性证实了这些 V2O3 薄膜样品的电子关联效应。
引用
@article{arxiv.0709.0692,
title = {Thickness-dependence of the electronic properties in V2O3 thin films},
author = {C. Grygiel and Ch. Simon and B. Mercey and W. Prellier and P. Limelette and R. Fresard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.0692},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures