LaVO3/SrTiO3 异质结构中单一电阻率的两个组分
材料科学
2015-06-19 v2
摘要
利用脉冲激光沉积技术在 (001) 取向的 SrTiO3 衬底上合成了一系列 100 nm 厚的 LaVO3 薄膜，并分析了生长温度的影响。输运性质揭示了低温下巨大的电子迁移率和非线性霍尔效应。此外，观察到从高温下的半导体态到低温下的金属态的交叉转变，且随着生长温度的升高，金属性特征明显增强。光学吸收测量结合霍尔效应的双带分析表明，金属性是由 SrTiO3 衬底中氧空位的扩散引起的。这些结果有助于理解薄膜/衬底异质结构表现为一种原始的半导体 - 金属并联电阻器，并一致地解释了电子输运性质。
引用
@article{arxiv.1403.7648,
title = {Two components for one resistivity in LaVO3/SrTiO3 heterostructures},
author = {Helene Rotella and Olivier Copie and Alain Pautrat and Philippe Boullay and Adrian David and Christophe Labbe and Cedric Frilay and Denis Pelloquin and Wilfrid Prellier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.7648},
year = {2015}
}
备注
Improved version as accepted in Journ Phys: Cond Mat. Additional Optical measurements are presented