含元素空位的La掺杂SrTiO3薄膜中的极化子输运与热电行为
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
利用光学光谱和热电势测量研究了具有受控元素空位的La掺杂SrTiO3薄膜的电动力学性质。特别地，我们观察到极化子形成与过渡金属氧化物（TMO）薄膜的热电性质之间的关联。随着薄膜生长过程中氧分压的降低（P(O2)），实验上通过光学光谱测定观察到晶格系统性膨胀，同时元素空位和载流子密度增加。此外，我们在中红外光子能量范围观察到吸收，这归因于掺杂SrTiO3体系中的极化子形成。La掺杂SrTiO3薄膜的热电势可在-120到-260 {\mu}V K-1之间大幅调制，反映出增强的极化子质量约3 < mpolron/m < ~4。在各种P(O2)下生长的TMO薄膜中产生的元素空位影响全局极化子输运，后者支配着电荷输运行为，包括热电性质。
引用
@article{arxiv.1505.02859,
title = {Polaron transport and thermoelectric behavior in La-doped SrTiO3 thin films with elemental vacancies},
author = {Woo Seok Choi and Hyang Keun Yoo and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.02859},
year = {2015}
}
备注
18 pages including 5 figures