氧缺失铁磁半导体 TiO$_{2-\delta}$ 中的电子输运

采用脉冲激光烧蚀沉积技术，在极低的氧腔室压力 $P\approx 0.3$ mtorr 下，将 TiO$_{2-\delta}$ 薄膜沉积在 (100) 铝酸镧 LaAlO$_{3}$ 衬底上。在先前的工作中，已经确定这些薄膜中的氧缺失会诱导铁磁性。本文证明了同样的氧缺失也会引起半导体钛离子杂质施主能级。给出了 TiO$_{2-\delta}$ 薄膜的输运电阻率作为温度和磁场函数的测量结果。磁电阻率和霍尔电阻率可以根据电子从钛离子施主能级激发至导带的机制来解释。