HfO2 薄膜的磁性质
强关联电子
2007-12-17 v1
摘要
我们报道了在蓝宝石衬底上通过脉冲激光沉积法在不同氧压（范围从 10^-7 到 10^-1 mbar）下生长的氧化铪（HfO2）薄膜的磁学与输运研究。这些薄膜的一些物理性质似乎取决于生长过程中的氧压：在低氧压（P ~= 10^-7 mbar）下生长的薄膜具有金属外观且导电，呈现正霍尔信号；而在较高氧压（7 x 10^-5 <= P <= 0.4 mbar）下生长的薄膜则是绝缘的。然而，无论沉积过程中的氧压如何，均未发现可归因于 HfO2 薄膜的固有铁磁信号。
引用
@article{arxiv.0712.2410,
title = {Magnetic properties of HO2 thin films},
author = {Nicolas Hadacek and Alexandre Nossov and Laurent Ranno and Pierre Strobel and Rose-Marie Galéra},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.2410},
year = {2007}
}
备注
12