半金属铁磁性 CrO2 中的反常输运
强关联电子
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
我们研究了沉积在 TiO2 和蓝宝石基底上的 CrO2 薄膜的输运性质。这些薄膜在低至低温下仍表现出良好的金属性。沉积在 TiO2 上的薄膜剩余电阻率约为 6 ，而蓝宝石基底上的薄膜剩余电阻率高出两倍。磁阻（MR）的符号在约 100 K 的温度下由负变正。这一事实以及正常和反常霍尔系数的快速变化表明电子态发生了变化。在更低温度下，MR 是外加磁场的线性函数。这种线性依赖关系可以解释为晶间隧穿 MR。角 MR 也支持这一解释。平面霍尔效应测量表明，即使对于沉积在同构 TiO2 基底上的薄膜，CrO2 薄膜也不处于单磁畴状态。
引用
@article{arxiv.1303.3746,
title = {Anomalous transport in half-metallic ferromagnetic CrO2},
author = {M. S. Anwar and J. Aarts},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3746},
year = {2015}
}