LaAg$_2$Ge$_2$薄膜的各向异性多带磁输运
材料科学
2026-04-23 v1
摘要
ThCrSi 型杂化合物是层状导体，其中晶体各向异性和多带电子态常常导致特有的磁输运现象。本文报道了在 MgO(001) 上通过分子束外延生长 LaAgGe 薄膜及其磁输运特性。霍尔效应和磁阻由有效两载流子描述，包含高迁移率电子带，薄膜在 9 T 时表现出 22.5% 的正磁阻。角度相关磁阻显示主导性的二向异性，以及在特征倾斜角度处的若干可重复凹凸特征，这些特征几乎独立于场强和温度。这些结果扩展了我们对 ThCrSi 族氟化物薄膜中各向异性电子输运的理解。
关键词
引用
@article{arxiv.2604.20709,
title = {Anisotropic multiband magnetotransport in LaAg$_2$Ge$_2$ thin films},
author = {Mizuki Ohno and Reiley Dorrian and Veronica Show and Joseph Falson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.20709},
year = {2026}
}