铁磁 Fe$_2$Ge 半金属薄膜中的磁输运

Andrew W. Forbes; Niraj Bhattarai; Christopher Gassen; Raghad S. H. Saqat; Ian L. Pegg; John Philip

doi:10.1063/5.0079202

铁磁 Fe$_2$Ge 半金属薄膜中的磁输运

材料科学 2022-02-16 v1

作者: Andrew W. Forbes , Niraj Bhattarai , Christopher Gassen , Raghad S. H. Saqat , Ian L. Pegg , John Philip

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摘要

通过分子束外延生长了铁磁体 Fe $_2$ Ge 薄膜，并首次测量了其电学与磁输运性质。X 射线衍射与振动样品磁强计测量证实了结晶铁磁 Fe $_2$ Ge 相。在纵向电阻率中观察到的高温极大值，以及低温下电子-磁子散射的受抑现象，均表明该材料中存在强自旋极化。对霍尔电阻率 $\rho_{xy}$ 的测量显示出常霍尔效应与反常霍尔效应 $\rho_{xy}^{AH}$ 的共同贡献，由此我们确定了载流子浓度与迁移率。测量还显示纵向与横向构型下均存在小的负磁电阻。Fe $_2$ Ge 有望成为一种有用的自旋电子材料，尤其因其与半导体的兼容性。

关键词

铁磁薄膜 Fe$_2$Ge 磁输运反常霍尔效应自旋电子学分子束外延

引用

@article{arxiv.2111.05417,
  title  = {Magnetotransport in ferromagnetic Fe$_2$Ge semimetallic thin films},
  author = {Andrew W. Forbes and Niraj Bhattarai and Christopher Gassen and Raghad S. H. Saqat and Ian L. Pegg and John Philip},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05417},
  year   = {2022}
}

备注

7 pages, 10 figures

铁磁 Fe$_2$Ge 半金属薄膜中的磁输运

摘要

关键词

引用

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