垂直自旋阀器件中嵌入的α-FeGe₂薄膜的电子与磁学性质
材料科学
2020-10-28 v2
摘要
我们研究了亚稳态α-FeGe₂（一种新型层状四方材料），其作为间隔层嵌入于具有铁磁性Fe₃Si和Co₂FeSi电极的自旋阀结构中。对于两类电极，均演示了自旋阀工作，且α-FeGe₂间隔层呈金属输运行为。发现自旋阀信号随温度和间隔层厚度增加而增大，这从铁磁底电极与顶电极间磁耦合强度减弱的角度进行讨论。自旋阀结构的温度依赖电阻呈现出特征，可由55至110 K间的铁磁相变解释。金属输运特征及低温铁磁性均与第一性原理计算结果一致。
引用
@article{arxiv.2010.04453,
title = {Electronic and magnetic properties of $\alpha$-FeGe$_2$ films embedded in vertical spin valve devices},
author = {Dietmar Czubak and Samuel Gaucher and Lars Oppermann and Jens Herfort and Klaus Zollner and Jaroslav Fabian and Holger T. Grahn and Manfred Ramsteiner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.04453},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 13 figures