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范德瓦耳斯铁磁体 Fe$_4$GeTe$_2$ 中的高输运自旋极化

超导电性 2023-07-05 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

利用基于二维材料构建的范德瓦耳斯(vdW)自旋电子架构中传导电子的自旋自由度,可以完成缩小节能电子设备尺寸这一挑战性任务。此类器件的关键组件之一是具有良好金属性、能在近室温下产生高度自旋极化电子输运电流的二维铁磁体。然而,大多数已知二维铁磁体要么有序温度极低,要么导电性差,要么自旋极化低。在此背景下,Fen_nGeTe2_2n3n\geq3)铁磁体家族因近室温铁磁性和良好金属性而脱颖而出。我们对 Fe4_4GeTe2_2TCurieT_{Curie} \sim 273 K)进行了自旋分辨 Andreev 反射谱测量,证明该铁磁体能够产生超过 50%\% 的极高输运自旋极化。这使 Fe4_4GeTe2_2 成为全 vdW 节能自旋电子器件应用的强有力候选材料。

关键词

引用

@article{arxiv.2306.00556,
  title  = {High transport spin polarization in the van der Waals ferromagnet Fe$_4$GeTe$_2$},
  author = {Deepti Rana and Monika Bhakar and Basavaraja G. and Satyabrata Bera and Neeraj Saini and Suman Kalyan Pradhan and Mintu Mondal and Mukul Kabir and Goutam Sheet},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2306.00556},
  year   = {2023}
}

备注

Accepted for publication in Physical Review B