Fe3GaTe2 薄层中以电流实现高效室温非易失磁开关
材料科学
2025-09-30 v2
摘要
利用电流有效调控磁态对于新型自旋电子器件至关重要。磁性范德瓦耳斯（vdW）材料基于高效的自旋力矩效应，在磁信息存储应用中展现出优越特性。然而，对于大多数已知的 vdW 铁磁体，低于室温的铁磁转变温度严重阻碍了其应用，而低能耗的室温 vdW 自旋电子器件仍是长期追求的目标。在此，我们基于 vdW 铁磁体 Fe3GaTe2 在单材料器件中实现了高效的室温非易失磁开关。此外，其开关电流密度和功耗约为传统磁体/重金属异质结构自旋轨道力矩器件的 1/300 和 1/60000。这些发现对磁性 vdW 材料在自旋电子学和磁信息存储领域的应用作出了重要推进。
引用
@article{arxiv.2308.12710,
title = {Highly Efficient Room-Temperature Nonvolatile Magnetic Switching by Current in Fe3GaTe2 Thin Flakes},
author = {Shaohua Yan and Shangjie Tian and Yang Fu and Fanyu Meng and Zhiteng Li and Hechang Lei and Shouguo Wang and Xiao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.12710},
year = {2025}
}
备注
18 pages, 5 figures