少层 1$T$-CrTe$_{2}$ 中的室温二维铁磁性

以二维（2D）范德瓦耳斯（vdW）材料为平台的自旋相关电子学被认为对革新下一代自旋电子学极具前景。尽管在具有自旋长程有序的 2D 电子系统中已揭示许多新兴现象，但鲜有报道的室温磁性 vdW 材料迄今阻碍了相关应用。在此，我们展示在少层极限下 1$T$-CrTe$_{2}$ 的金属相中，本征铁磁排列的自旋极化可维持至 316 K。这一室温 2D 长程自旋相互作用可能受益于巡游增强。自旋输运测量表明少层 CrTe$_{2}$ 中存在面内室温负各向异性磁电阻（AMR），但在较低温度下 AMR 符号反转，分别在 300 K 为 -0.6$\%$ 与在 10 K 为 +5$\%$。该行为可能源于 CrTe$_{2}$ 特定的自旋极化能带结构。我们的发现增进了对少层 CrTe$_{2}$ 磁性的理解，暗示了此类 2D vdW 磁体在未来室温自旋电子学应用中的潜力。