插层 Fe3-xGeTe2 范德瓦耳斯磁体中的室温铁磁性
材料科学
2022-09-20 v1
摘要
在若干众所周知的过渡金属基化合物中，范德瓦耳斯(vdW) Fe3-xGeTe2 (FGT) 磁体因其强垂直磁各向异性、可观的居里温度(TC ~ 154 K)以及在低维极限下仍保持的多样磁特性，成为二维(2D)磁性器件的强有力候选材料。尽管其 TC 仍远低于实际应用需求，但借助压力、辐照和掺杂等外部驱动力来提升 TC 的研究已取得成功进展。本文给出了通过常见四丁基铵阳离子(TBA+)对 FGT 块体晶体进行电化学插层诱导出新型室温(RT)铁磁相的实验证据。我们所获得的插层化合物居里温度高达 350 K，且具备化学与物理稳定性。温度依赖的拉曼测量结合 vdW 修正的第一性原理计算表明，插层过程中的电荷转移(电子掺杂)可能导致 RT 铁磁性的观测。本工作表明，分子插层是一种以廉价可靠方式实现高温 vdW 磁体的可行途径。
引用
@article{arxiv.2209.08342,
title = {Room temperature ferromagnetism in intercalated Fe3-xGeTe2 van der Waals magnet},
author = {Hector Iturriaga and Luis M. Martinez and Thuc T. Mai and Mathias Augustin and Angela R. Hight Walker and M. F. Sanad and Sreeprasad. T. Sreenivasan and Y. Liu and Elton J. G. Santos and C. Petrovic and Srinivasa R. Singamaneni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.08342},
year = {2022}
}