不同取向 MoSi$_2$ 块体与薄膜中的磁输运与电子结构
材料科学
2023-07-22 v1 应用物理
摘要
我们报道了 MoSi 块体与薄膜磁输运性质的全面研究。在不同取向的硅衬底上沉积了约 70 nm 的织构化 MoSi 薄膜。在烧结块体样品中观察到 1000% 的巨磁电阻，而 MoSi 单晶在低温下表现出 800% 的磁电阻(MR)值。低温下，由于自旋轨道耦合效应，织构化薄膜的 MR 表现出弱反局域化行为。我们的第一性原理计算表明该材料中存在表面态。所有 MoSi 薄膜的电阻率均显著较低且几乎与温度无关，这对电子器件具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2307.09802,
title = {Magneto-transport and electronic structures in MoSi$_2$ bulks and thin films with different orientations},
author = {W. Afzal and F. Yun and Z. Li and Z. Yue and W. Zhao and L. Sang and G. Yang and Y. He and G. Peleckis and M. Fuhrer and X. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.09802},
year = {2023}
}