纳米复合C:Co薄膜中的自旋相关输运
材料科学
2009-08-04 v1
摘要
研究了纳米复合C:Co（15 at.% 和 40 at.% Co）薄膜的磁输运性质。这些薄膜通过离子束共溅射在热氧化硅衬底上生长，生长温度范围为200至500摄氏度。报道了两个主要效应：(i) 高达 2 μΩ cm 的巨大反常霍尔效应，以及 (ii) 负磁电阻。场相关电阻率和霍尔电阻率曲线与重标定的磁化曲线重合，这一发现与自旋相关输运一致。这些发现表明，C:Co 纳米复合材料是用于碳基霍尔传感器和自旋电子学器件的有前途的候选材料。
引用
@article{arxiv.0908.0127,
title = {Spin-dependent transport in nanocomposite C:Co films},
author = {Shengqiang Zhou and Markus Berndt and Danilo Buerger and Viton Heera and Kay Potzger and Gintautas Abrasonis and Gyoergy Radnoczi and Gyoergy J. Kovacs and Andreas Kolitsch and Manfred Helm and Juergen Fassbender and Wolfhard Moeller and Heidemarie Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0127},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 7 figures