电子掺杂超导 SrLaCuO 薄膜中的磁阻与霍尔效应
超导电性
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
我们通过射频溅射在 KTaO 衬底上外延生长了 c 轴取向的 SrLaCuO 薄膜，其中 。生长态的沉积物是绝缘的，通过原位氧还原，获得了一系列 高达 26 K 的超导薄膜。我们对这些样品的 ab 平面进行了输运测量。我们报告了关于霍尔效应温度依赖性以及各向异性磁阻（）的原创结果。我们讨论了上临界磁场与各向异性的大小、霍尔效应（其符号变化表明存在两种载流子）以及正常态磁阻（在平行磁场中为负值，这可能是自旋散射的标志）。我们将这些性质与具有可比 的空穴掺杂铜氧化物（如 BiSr(La)CuO）的性质进行了比较。
引用
@article{arxiv.0811.3931,
title = {Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films},
author = {V. Jovanovic and Z. Z. Li and F. Bouquet and L. Fruchter and H. Raffy},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.3931},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures; to appear in Proceedings of LT25, Journal of Physics : Conference Series