HgBa2CaCu2O6薄膜中霍尔效应的角度依赖性
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
Hg-Ba-Ca-Cu-O家族的超导化合物一直是深入研究的主题,因为当前超导体最高临界温度的记录保持者属于这类材料。通过两步法制备了具有两个相邻铜氧层、临界温度约为120 K的该化合物薄膜,该过程包括前驱体薄膜的脉冲激光沉积和随后在汞蒸气气氛中的退火。与其他一些高温超导体一样,Hg-Ba-Ca-Cu-O表现出霍尔效应的特定异常,即在超导转变附近霍尔系数发生双符号变化。我们通过在不同磁场方向与晶体c轴夹角下测量霍尔效应来研究这一现象。关于转变上部(发生第一次符号变化)的结果,我们基于重正化涨落模型对霍尔电导率进行了讨论,并通过场重标度过程加以修正,以考虑磁场的任意取向。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604352,
title = {Angle-dependence of the Hall effect in HgBa2CaCu2O6 thin films},
author = {H. Richter and I. Puica and W. Lang and M. Peruzzi and J. H. Durrell and H. Sturm and J. D. Pedarnig and D. Baeuerle},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604352},
year = {2009}
}
备注
to be published in Phys. Rev. B