c 轴取向 MgB2 薄膜中的面内 Hall 效应
超导电性
2009-11-07 v2 材料科学
摘要
我们在高度 c 轴取向的 MgB2 薄膜的 ab 面内测量了纵向电阻率和 Hall 电阻率。在正常态下，随着温度升高至 130 K，Hall 系数（R_H）表现为 R_H ~ T，在更高温度下则偏离该线性 T 依赖关系。Hall 角余切的 T^2 依赖关系仅在 130 K 以上观察到。混合态 Hall 效应在 10^2 至 10^4 A/cm^2 的宽电流密度范围及高达 5 T 的磁场下，未表现出符号反常。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105024,
title = {In-plane Hall effect in c-axis-oriented MgB2 thin films},
author = {W. N. Kang and Hyeong-Jin Kim and Eun-Mi Choi and Heon Jung Kim and Kijoon H. P. Kim and H. S. Lee and Sung-Ik Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105024},
year = {2009}
}
备注
5 pages including 5 figures