LSMO 薄膜霍尔效应的角度依赖性

我们发现 \lsmo\ 薄膜的霍尔电阻率 ($\rho_{xy}$) 随外加磁场与薄膜法线之间夹角 $\theta$ 的变化规律为 $\rho_{xy}=a\cos \theta + b\cos 3\theta$，其中 $|b|$ 随温度升高而增大，随磁场增强而减小。我们发现纵向电阻率和磁化强度的角度依赖性无法完全解释这一令人惊讶的 $b$ 项，表明它是某种内禀输运性质的表现。