观察与量子点中关联电子隧穿的实时检测与控制

对于超过一个世纪的斯托克斯效应（Hall effect），即在垂直于磁场或磁化力度下发生的横向效应，一直是磁导输运研究和应用的基石。基于贝里曲率的现代理论表述揭示了即使存在平行于磁场的磁化力度也可能诱导出异常斯托克斯效应，但其实验表征一直困难重重，由于其潜在的微小幅度及严格的对称性要求。本文报道了通过测量磁性 Weyl 半导体 EuCd$_2$Sb$_2$ 的低载流子密度薄膜，观察到平面异常斯托克斯效应。异常斯托克斯电阻在平面场分量变化时表现出明确的三向旋转对称性，这可以理解为垂直于 Weyl 点分裂或由平面场引起的轨道磁化力度，模型计算亦证实了这一点。我们的发现表明平面场对控制斯托克斯效应具有重要性义，加速了材料开发及对各种由平面场诱导现象的进一步探索。